Для решения задачи необходимо воспользоваться формулой удельной проводимости для полупроводника, легированного акцепторной примесью. Удельная проводимость определяется как
$$\sigma = e \cdot (b_n \cdot n_n + b_p \cdot n_p)$$
где:
* $$e$$ – элементарный заряд ($$1.6 \cdot 10^{-19}$$ Кл)
* $$b_n$$ – подвижность электронов
* $$n_n$$ – концентрация электронов
* $$b_p$$ – подвижность дырок
* $$n_p$$ – концентрация дырок
Поскольку кремний легирован акцепторной примесью, концентрацией электронов можно пренебречь ($$n_n \approx 0$$). Тогда формула упрощается до:
$$\sigma = e \cdot b_p \cdot n_p$$
В данной задаче концентрация дырок $$n_p$$ равна концентрации носителей заряда $$n = 0{,}52 \cdot 10^{20} \text{м}^{-3}$$. Подставим значения:
$$\sigma = 1{,}6 \cdot 10^{-19} \text{Кл} \cdot 0{,}16 \frac{\text{м}^2}{\text{В} \cdot \text{с}} \cdot 0{,}52 \cdot 10^{20} \text{м}^{-3} = 1{,}3312 \frac{1}{\text{Ом} \cdot \text{м}}$$
Удельное сопротивление – величина, обратная удельной проводимости:
$$\rho = \frac{1}{\sigma} = \frac{1}{1{,}3312} \approx 0{,}751 \text{Ом} \cdot \text{м}$$
Округлим до трех значащих цифр: 0,751 Ом·м.
Ответ: 0,751